晶圓清洗過程是在不改變或損壞晶圓表面或基板的情況下去除化學和顆粒雜質。進行清潔是為了確保晶圓不受粗糙度和腐蝕的影響。晶圓清洗製程通常採用兩種方法：濕晶圓清洗和乾晶圓清洗。濕法清潔涉及使用溶劑清潔晶圓表面，去除雜質，之後不會產生粗糙的表面。乾矽片清潔方法對環境的危害較小，因為需要很少的化學物質。此外，與較小的晶圓相比，大晶圓更適合乾洗製程。
ID ： IL_1054 | 語言： 英文/日文/法文/德文 | 出版商： 白細胞介素 | 格式 ：
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報告編號： IL_55 | 報告語言： 英文/日文/法文/德文 | 出版商： 白細胞介素
