Marktgröße für InGaAs-PIN-Fotodiodenarrays 2023 bis 2032

InGaAs (Indium Gallium Arsenid) PIN-Fotodiodenarrays sind Halbleiterbauelemente, die zur Erkennung und Umwandlung von Lichtsignalen in elektrische Signale verwendet werden. Die Arrays bestehen aus mehreren einzelnen Fotodioden, die in einem Gitter- oder Linienmuster auf einem einzigen Substrat angeordnet sind. Darüber hinaus bieten InGaAs-PIN-Detektoren eine hohe Quanteneffizienz von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnen sich durch eine niedrige Kapazität für eine größere Bandbreite, einen hohen Widerstand für eine hohe Empfindlichkeit, eine hohe Linearität und eine Gleichmäßigkeit innerhalb von zwei Prozent über die aktive Fläche des Detektors aus.

AUSWEIS : IL_1041 | Sprachen : En/Jp/Fr/De | Herausgeber : IL | Format :